[19p-146-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-146-12] 高温アニール・再成長により作製したAlNの結晶性に及ぼす核形成条件の影響

〇糸数 雄吏^1,2、桑葉 俊輔^1,2、定 昌史²、鎌田 憲彦¹、平山 秀樹² (1.埼玉大、2.理研)

キーワード：半導体、高温アニール、窒化アルミニウム