[19p-146-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19p-146-17] Suppression of yellow luminescence of MBE grown GaN nanowires

〇(M1)Tomohiro Uesugi¹, Takuo Sasaki², Masamitu Takahasi^1,2 (1.Univ. of Hyogo, 2.QST)

Keywords:nanowire, GaN, photoluminescence

GaNナノワイヤの発光特性は、これまでバンド端付近(365 nm)の発光に関しては成長条件との相関、イエロールミネッセンスと呼ばれる500~600 nm付近の発光に関しては、ナノワイヤの極性や形状との相関について調べられている。しかし、GaNナノワイヤとGaN薄膜及びGaN基板との発光特性の比較は行われていない。そこで本研究は、RF-MBE法を用いてGaNナノワイヤとGaN薄膜をそれぞれ作製し、PL法を用いて発光特性を比較した。