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[19p-146-21] X線ナノビームによる1-100反射を用いたGaNナノワイヤ側壁上m面Ga1-xInxN/GaN量子井戸の構造評価
キーワード:窒化物半導体、ナノワイヤ、X線回折
窒化物半導体レーザの青・緑色光源としてGaNナノワイヤ側壁上にm面Ga1-xInxN/GaN量子井戸を成長させるコアシェル活性層が注目されている。我々は大型放射光施設SPring-8のX線ナノビームを利用してX線回折測定を行い、量子井戸層の周期とIn組成の評価を報告してきたが、ここでは対称反射及び非対称反射のX線ナノビーム回折測定とともに3次元歪計算を加えることで,より精度の高い構造解析が可能となった。