[19p-146-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [19p-146-22] Optical simulation of GaInN based Multi-Quantum-Shell (MQS) LED using n-GaN current diffusing layer

〇Mizuki Terazawa¹, Masaki Ohya^1,3, Kazuyoshi Iida^1,3, Naoki Sone^1,4, Atsushi Suzuki¹, kyohei Nokimura¹, Minoru Takebayashi¹, Nanami Goto¹, Hideki Murakami¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Akasaki Research Center, Nagoya Univ., 3.Toyoda Gosei Co., Ltd, 4.Koito Manufacturing CO., LTD)

Keywords:core-shell structure, simulation

III族窒化物ナノ構造を用いた量子殻LEDはm面(1-100)に三次元の活性域を有し、従来のIII族窒化物より優れた光学特性が期待されている。本研究では、FDTD法、RCWA法、光線追跡の3つの手法を組み合わせることで、光学特性の解析を行った。その結果、量子殻LEDでは、電極における光吸収が、LEDの光取り出し効率や配光特性に大きく影響することが分かったので、報告する。