[19p-146-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19p-146-22] n-GaN電流拡散層を用いたGaInN系量子殻LEDの光学シミュレーション

〇寺澤 美月¹、大矢 昌輝^1,3、飯田 一喜^1,3、曽根 直樹^1,4、鈴木 敦志¹、軒村 恭平¹、竹林 穣¹、後藤 七美¹、村上 ヒデキ¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター、3.豊田合成株式会社、4.株式会社小糸製作所)

キーワード：量子殻構造、シミュレーション

III族窒化物ナノ構造を用いた量子殻LEDはm面(1-100)に三次元の活性域を有し、従来のIII族窒化物より優れた光学特性が期待されている。本研究では、FDTD法、RCWA法、光線追跡の3つの手法を組み合わせることで、光学特性の解析を行った。その結果、量子殻LEDでは、電極における光吸収が、LEDの光取り出し効率や配光特性に大きく影響することが分かったので、報告する。