[19p-146-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-146-3] サファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の発光ダイナミクス

〇秩父 重英¹、嶋 紘平¹、梅原 直己²、小島 一信¹、原 和彦^3,2 (1.東北大多元研、2.静大創造科学院、3.静大電子研)

キーワード：窒化ボロン、発光機構、発光寿命

h-BNは、間接遷移型半導体でありながら室温で禁制帯幅(約6 eV)に対応する215nm付近に強いバンド端発光を呈すため、深紫外線発光素子材料として期待できる。しかしながら大型バルク単結晶の合成が困難なため、微結晶を用いた研究や異種基板上への結晶成長が進められている。梅原・原らは、減圧CVD法によりサファイアc面上にエピタキシャルh-BN薄膜を成長させ、成長温度・圧力と薄膜の構造的・光学的特性の関係を報告してきた。本講演では、高温CVD成長h-BNエピ膜の発光ダイナミクスについて報告する。