2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-146-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年9月19日(水) 13:15 〜 19:15 146 (レセプションホール)

ホームズ マーク(東大)、舘林 潤(阪大)、谷川 智之(東北大)

14:30 〜 14:45

[19p-146-6] 深紫外AlGaN発光ダイオード特性のp-AlGaN膜厚依存性

〇桑葉 俊輔1,2、糸数 雄吏1,2、定 昌史2、鎌田 憲彦1、平山 秀樹2 (1.埼玉大、2.理研)

キーワード：半導体、深紫外