[19p-212A-1~11] 3.14 光制御デバイス・光ファイバー

[19p-212A-4] Cat-CVD法によるSiN膜を用いた光リング共振器の光学特性

〇古澤 健太郎¹、山下 良美¹、青木 画奈¹、関根 徳彦¹、笠松 章史¹、鵜澤 佳徳² (1.情通機構、2.国立天文台)

キーワード：窒化シリコン、マイクロリング共振器、触媒化学気相堆積法

プラズマ化学気相堆積(CVD)法に比べ膜中水素結合基密度も低く、低応力で堆積可能な触媒(cat-)CVD法によるSiN膜を用いてリング共振器構造を作製し、評価を行った。通信波長帯Lバンドにおいて、FSR~476 GHz, Q~1.6 ×10^5、ピーク消光比 10 dBが得られた。この結果はcat-CVD法SiN膜を用いて低損失光デバイスを簡便に実現できる可能性を示唆している。