[19p-212B-1~15] 11.3 臨界電流，超伝導パワー応用

[19p-212B-10] 量子化磁束径より大きなナノ析出物ピンを含む(RE)BCO薄膜の J_c(H, θ, T) に関する考察

〇山崎 裕文¹ (1.産総研)

キーワード：(RE)BCO 薄膜、ナノ析出物、バタフライ形状

筆者らは、YBCO 薄膜の臨界電流密度の磁界角度依存性J_c(H,θ) を測定して、量子化磁束径より大きなナノ析出物が、B = 0.5-2 Tでc軸中心のブロードなJ_c(θ) ピークをもたらすことを見出すとともに、要素的ピン力密度f_pの直接和によってJ_cを計算して合理的な説明を与えた。このようなブロードピークは高磁界領域でつぶれてきて、バタフライ形状のJ_c(θ) 曲線が出現するが、その起因について考察した。