[19p-212B-1~15] 11.3 臨界電流，超伝導パワー応用

△ [19p-212B-4] 異なるBaHfO₃添加量のSmBa₂Cu₃O_y超伝導薄膜の面内磁場下における臨界電流の非対称特性

〇鈴木 啓介¹、土屋 雄司¹、一野 祐亮¹、吉田 隆¹ (1.名大工)

キーワード：超伝導、非対称Ic

超伝導ダイオードの課題として、整流特性の向上が挙げられる。高い整流特性を実現するためには臨界電流I_cの高い非対称性を得る必要がある。そこで、I_cの決定要因である超伝導体表面からの磁束侵入と内部の磁束運動に着目した。本研究では、SmBa₂Cu₃O_y超伝導薄膜の薄膜表面及び内部構造を制御することで、I_c非対称性の実現を試みた。表面構造として表面粗さを変化させ、内部構造として様々な数密度のBaHfO₃ナノロッドの導入を行った。