2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

11 超伝導 » 11.3 臨界電流,超伝導パワー応用

[19p-212B-1~15] 11.3 臨界電流,超伝導パワー応用

2018年9月19日(水) 13:15 〜 17:15 212B (212-2)

末吉 哲郎(熊本大)、山崎 裕文(産総研)

14:00 〜 14:15

[19p-212B-4] 異なるBaHfO3添加量のSmBa2Cu3Oy超伝導薄膜の面内磁場下における臨界電流の非対称特性

鈴木 啓介1、土屋 雄司1、一野 祐亮1、吉田 隆1 (1.名大工)

キーワード:超伝導、非対称Ic

超伝導ダイオードの課題として、整流特性の向上が挙げられる。高い整流特性を実現するためには臨界電流Icの高い非対称性を得る必要がある。そこで、Icの決定要因である超伝導体表面からの磁束侵入と内部の磁束運動に着目した。本研究では、SmBa2Cu3Oy超伝導薄膜の薄膜表面及び内部構造を制御することで、Ic非対称性の実現を試みた。表面構造として表面粗さを変化させ、内部構造として様々な数密度のBaHfO3ナノロッドの導入を行った。