[19p-221A-1~18] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

△ [19p-221A-8] GaAs/AlGaAsヘテロ構造と自然酸化AlGaOx最外殻によるパッシベーション構造を用いたコアシェルナノワイヤの作製

〇津田 眞¹、石川 史太郎¹ (1.愛媛大工)

キーワード：半導体、ナノワイヤ、GaAs

３-５族化合物半導体GaAsを用いたナノワイヤは、単一のナノワイヤそのものがレーザとして機能するなど、高い発光効率を有している。一方、同材料は表面非発光再結合の影響が顕著であり、これを抑制する試みが種々行われている。今回我々はAlGaAs/GaAsコアシェルナノワイヤの作製において、AlGaAs層を自然酸化させ、さらにその内部にもAlGaAsパッシベーション層を成長することを試みた。作製したナノワイヤに対して評価を行った結果を報告する。