2:15 PM - 2:30 PM
△ [19p-221C-5] Study of Device Process and Structure of Graphene Transistor for Detection of Influenza Virus
Keywords:graphene, Field effect transistor, Influenza Virus
我々は、二次元炭素材料グラフェンが検出対象の表面電荷に鋭敏に応答する性質を利用して、グラフェン電界効果トランジスタ(G-FET)をバイオセンサーに応用する研究を行っている。グラフェン上にインフルエンザウイルスと結合するシアロ糖鎖を修飾してウイルスを捕捉することで、ヒト感染性のインフルエンザウイルスを特異的かつ高感度に検出することに成功している。今回、我々は更に感度を向上させるため、 デバイス作製プロセスの見直しを行った。