[19p-224A-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-224A-2] 溶液法により形成したAl添加ZnO-TFTの特性評価と基板依存性

〇大浦 紀頼¹、小山 政俊¹、前元 利彦¹、佐々 誠彦¹ (1.大阪工大　ナノ材研)

キーワード：酸化亜鉛、溶液法、薄膜トランジスタ

近年，次世代ディスプレイの開発のため酸化物半導体を用いたTFTの研究が広く進んでいる．その中でも，ZnOはワイドバンドギャップを有する透明材料であり，アモルファス相での電子移動度が高いため研究が盛んに行われている．今回我々は，塗布法を用いたSi基板上への酸化物デバイスの形成と高品質な薄膜の形成を目的として，Si基板およびa面サファイア基板上にTFTを形成し，その特性を評価するとともにガラス基板上のTFTと比較した．