[19p-224B-1~21] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

[19p-224B-20] 電子デバイス応用に向けた単層カーボンナノチューブの低欠陥分散

〇片浦 弘道¹、都築 真由美¹、杉田 知子¹、久保田 真理子¹、田中 丈士¹ (1.産総研ナノ材料)

キーワード：低欠陥分散、分離

単層カーボンナノチューブ（SWCNT）は高移動度材料であり、次世代半導体材料として期待されている。しかし、金属型と半導体型を分離するには超音波による孤立分散が必要であり、その過程で欠陥が導入されてしまうため、移動度の劣化が著しい。今回、この問題を解決するために、野田らの手法を改良し、分離に向けた孤立分散系で繰り返し分散法を検討したので報告する。