[19p-231C-1~19] 12.1 作製・構造制御

[19p-231C-18] スピンコート法と疎水性パターン基板を用いたCH₃NH₃PbBr₃ペロブスカイト単結晶アレイの作製

〇安部 僚吾¹、竹内 啓太¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大学理工、2.上智ナノテクセンター)

キーワード：ペロブスカイト、結晶成長、スピンコート法

低コストで高効率な太陽電池やLEDの材料としてアモルファスや多結晶構造の有機無機複合ペロブスカイトが注目されている。これらペロブスカイトは比較的容易に単結晶が得られ、より優れた電気特性や光学特性の発現可能性を有しているが、デバイス化に適した単結晶ペロブスカイトの形状や位置制御の技術はまだ確立されていない。我々は簡便で低コストな溶液プロセスを用いて、ペロブスカイト単結晶の形状や析出位置を制御することを目的とし、メチルアンモニウム臭化鉛 (CH₃NH₃PbBr₃: MAPbBr₃)単結晶アレイの作製方法と結晶形状や析出状態について研究を行ったので報告する。