[19p-231C-1~19] 12.1 作製・構造制御

△ [19p-231C-6] スプレー堆積法を用いたポリチオフェンへのp型ドーピング

〇崎山 晋^1,2、水谷 直貴³、藤田 克彦^1,3 (1.九大総理工、2.学振特別研究員、3.九大先導研)

キーワード：有機半導体ドーピング、導電性高分子、有機エレクトロニクス

高分子半導体では従来、ドーパント分子が凝集しやすく、高効率なドーピングは実現されていなかった。これまでに我々は超希薄溶液気相濃縮スプレー堆積法(ESDUS) を用いて、ドーパントの凝集を抑制することでポリフェニレンビニレン (MEH-PPV)への15％の高効率ドーピングが可能であることを実証した。本研究では、p型ドーパントと電荷移動錯体を形成しやすいpoly(3-hexylthiophene) (P3HT)とドーパントとして2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4TCNQ)を用い、ESDUS法による高分子半導体への32%の高効率ドーピングを達成した。