[19p-233-1~12] 材料・プロセスが切り開く未来半導体デバイス

[19p-233-2] 次世代Emerging Memoryの電子・原子レベルの動作機構

〇白石 賢二¹ (1.名大未来研)

キーワード：抵抗変化メモリ、相変化メモリ、第一原理計算

次世代のEmerging Memoryとして期待されている抵抗変化型メモリと超格子型相変化メモリの動作発現機構について電子・原子レベルで議論する。我々は2012年に酸化物抵抗変化型メモリは酸素空孔への電荷注入によって酸素空孔フィラメントが崩壊することが物理的起源であることを提案した。この提案を支持する実験が木下らによって2016年になされ、これまでの抵抗変化型メモリのスイッチング機構が大きく見直されるようになった。さらに、電荷注入機構は最近話題の超格子型相変化メモリにも適用することができることを示し、電荷注入機構が次世代Emerging Memoryの動作機構において普遍的であることを紹介する。