The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

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Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.4 Thin films and New materials

[19p-234B-1~19] 6.4 Thin films and New materials

Wed. Sep 19, 2018 1:15 PM - 6:30 PM 234B (234-2)

Tetsuo Tsuchiya(AIST), Taro Hitosugi(Tokyo Tech), Yuji Muraoka(Okayama Univ.)

5:45 PM - 6:00 PM

[19p-234B-17] Fabrication of Zn3N2 epitaxial thin films by pulsed laser deposition using sputter-deposited nitride film as targets

Masato Tsuchii1, Yuting Zhu1, Shoichiro Nakao1, Yasushi Hirose1, Yuki Sugisawa2, Junichi Kikuda2, Daiichiro Sekiba2, Tetsuya Hasegawa1 (1.Univ. of Tokyo, 2.Univ. of Tsukuba)

Keywords:nitride thin films, epitaxial growth, pulsed laser deposition method

従来の遷移金属窒化物薄膜の合成は金属をターゲットとする反応性スパッタ法により行われていた。しかしスパッタ法はスパッタダメージや不純物アルゴン等が問題になることがある。その問題を克服するため、我々は反応性スパッタ法により作製した厚膜をパルスレーザー堆積法のターゲットとして用いるという新しい手法によりZn3N2エピタキシャル薄膜の合成に成功した。