The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

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Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.4 Thin films and New materials

[19p-234B-1~19] 6.4 Thin films and New materials

Wed. Sep 19, 2018 1:15 PM - 6:30 PM 234B (234-2)

Tetsuo Tsuchiya(AIST), Taro Hitosugi(Tokyo Tech), Yuji Muraoka(Okayama Univ.)

2:45 PM - 3:00 PM

[19p-234B-6] Synthesis and Formation Mechanism of (111)-Co3O4 Sheets from α, β-Co(OH)2 Precursors

〇(DC)Kensuke Hayashi1, Keisuke Yamada1, Mutsuhiro Shima1 (1.Gifu Univ.)

Keywords:Crystal Growth, Texture Control

沈殿法で合成したα, β-Co(OH)2を前駆体として用い、その前駆体をアニールすることで、Si基板上に(111)配向を持つ、Co3O4シートを合成することに成功した。
XRDを用いて構造評価を行ったところ、両前駆体をアニールした試料からCo3O4の(111)、(222)、(333)ピークのみが観測され、Si基板上のCo3O4が(111)配向していることが示された。Co3O4が(111)配向している理由については、α, β-Co(OH)2を前駆体のコバルトイオンの配列が影響していると考えられる。