2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス

[19p-235-1~13] 13.8 光物性・発光デバイス

2018年9月19日(水) 13:30 〜 17:00 235 (3Fラウンジ2)

七井 靖(青学大)、篠崎 健二(産総研)

16:30 〜 16:45

[19p-235-12] 時間分解マイクロ波伝導度測定によるLu3(Al,Ga)5O12:Ceの温度消光機構の研究(2)

谷口 智隆1、三上 昌義1、佐伯 昭紀2 (1.三菱ケミカル(株)、2.阪大院工)

キーワード:蛍光体、温度消光、光伝導度

蛍光体の温度消光メカニズム理解に向け、Ga置換量が系統的に異なるLu3Al5-xGaxO12:Ce (x = 0-3)の光伝導度励起波長・温度依存性を解析した。光伝導度は熱活性的な挙動を示し、その活性化エネルギーΔEdcはGa置換量xとともに単調に低下し、励起波長には依存しない。これは、Ga置換に伴いバンドギャップ狭帯化及びCe 5d準位上昇しCe 5d準位から伝導帯への電子移動が起こり易くなること、Ce 5d2準位に励起された電子は速やかに5d1準位に緩和することから理解できる。