[19p-311-9~14] 17.2 Graphene

△ [19p-311-11] Direct precipitation growth of multilayer graphene on SiO₂/Si substrate
using nanodiamond ----Anneal temperature dependence----

〇Daichi Yamamoto¹, Jumpei Yamada¹, Yuki Ueda¹, Kyosuke Fujiwara¹, Takahiro Maruyama¹, Shigeya Naritsuka¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:Graphene

直接析出成長法によりすでに575℃という低温でグラフェンを成長させることに成功している。今回、炭素原料をsp³結合からなるナノダイヤモンドに変更することで、さらに低温でグラフェンを直接析出成長させることを目的とした。本研究では、加熱温度の効果も調べたので報告する。