[19p-311-1~8] ファンデルワールス積層ヘテロデバイスの最前線

[19p-311-2] h-BN: van der Waals 積層ヘテロ構造における絶縁材料

〇谷口 尚¹ (1.物質・材料研究機構)

キーワード：六方晶窒化ホウ素、高圧下結晶合成

高純度六方晶窒化ホウ素（hBN）単結晶は、グラフェン、TMDC等の２D系積層デバイスの絶縁材料等としての応用が進んでいる。hBN結晶で挟んだグラフェンの電極構造を最適化し、室温下でほぼ理論限界のキャリア移動度が観測されている。一方、低温度領域では依然として何らかの散乱源が示唆されており、残留不純物による影響と考えられる。本報告では、高圧合成法によるhBN単結晶合成と不純物制御の現状を報告する。