2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » ファンデルワールス積層ヘテロデバイスの最前線

[19p-311-1~8] ファンデルワールス積層ヘテロデバイスの最前線

2018年9月19日(水) 13:30 〜 17:15 311 (カスケード)

安藤 淳(産総研)、上野 啓司(埼玉大)

14:45 〜 15:00

[19p-311-4] MoS2/WSe2ヘテロ構造の光電変換特性

木山 謙1、Wang Xiaofan1、篠北 啓介1、宮内 雄平1、松田 一成1 (1.京大エネ研)

キーワード:遷移金属ダイカルコゲナイド、太陽電池

遷移金属ダイカルコゲナイドを積層しp-n接合を作製することで、光電変換機能が期待できる。これまでに単層MoS2/WSe2において光電変換特性が報告されているが、AM1.5における正確な光電変換効率が明らかになっていない。本研究では、2層MoS2/WSe2ヘテロ構造を作製し、AM1.5下で光電変換特性を詳細に調べた。