[19p-331-1~6] スピントロニクス材料研究の新潮流 ～二次元系を中心に～

[19p-331-4] 化合物半導体Cu(In,Ga)Se₂を用いた新規磁気トンネル接合の創製と高出力特性

〇葛西 伸哉¹ (1.物材機構)

キーワード：スピントロニクス、磁気トンネル接合

磁気トンネル接合(MTJ)はスピントロニクス応用において最も重要な基盤素子である。現行MTJでは中間障壁層として酸化物絶縁体MgOを用いることで巨大な磁気抵抗比を実現しているが、応用上重要な素子抵抗の低減が難しいという弱点がある。本講演ではカルコパイライト型化合物半導体Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)を用いたMTJの低抵抗・高出力特性について紹介を行う。