[19p-436-1~17] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19p-436-14] Si結晶中へのBiのイオン注入ドーピング

〇三木 一司¹、河裾 厚男²、前川 雅樹²、田尻 寛男³、八方 直久⁴、Ang Artoni Kevin Roquero⁵、林 好一⁵ (1.兵庫県立大工、2.量研高碕、3.JASRI、4.広島市立大、5.名工大)

キーワード：シリコン、ドーパント、イオン注入

イオン注入後のアニール処理を陽電子消滅法を利用して予備検討した内容を報告する。