[19p-436-1~17] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[19p-436-4] Formation of SnS/BaSi₂ heterojunction by sequential evaporation and postannealing

〇Kosuke Hara¹, Keisuke Arimoto¹, Junji Yamanaka¹, Kiyokazu Nakagawa¹ (1.Univ. of Yamanashi)

Keywords:semiconducting silicide, tin sulfide, thermal evaporation

高効率太陽電池の基本構造となり得るp-SnS/n-BaSi₂ヘテロ接合の作製を目指して、SnSとBaSi₂の連続蒸着とポストアニールにより作製した積層構造を調査した。オージェ電子分光を用いた組成プロファイル分析により、低温連続蒸着とポストアニールでSnS/BaSi₂界面の残留ガスによる酸化を抑制でき、SnS/BaSi₂ヘテロ接合の形成に成功したことが分かった。