[19p-436-1~17] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19p-436-4] 連続蒸着とポストアニールによるSnS/BaSi₂ヘテロ接合の作製

〇原 康祐¹、有元 圭介¹、山中 淳二¹、中川 清和¹ (1.山梨大)

キーワード：シリサイド半導体、硫化スズ、真空蒸着

高効率太陽電池の基本構造となり得るp-SnS/n-BaSi₂ヘテロ接合の作製を目指して、SnSとBaSi₂の連続蒸着とポストアニールにより作製した積層構造を調査した。オージェ電子分光を用いた組成プロファイル分析により、低温連続蒸着とポストアニールでSnS/BaSi₂界面の残留ガスによる酸化を抑制でき、SnS/BaSi₂ヘテロ接合の形成に成功したことが分かった。