[19p-437-1~15] 9.5 新機能材料・新物性

[19p-437-1] [講演奨励賞受賞記念講演] デュアルゲートデバイスによるトポロジカル絶縁体表面の磁気輸送特性制御

〇三澤 哲郎^1,2、福山 康弘²、中村 秀司²、岡崎 雄馬²、名坂 成昭¹、金子 晋久²、浦野 千春²、笹川 崇男¹ (1.東工大、2.産総研)

キーワード：トポロジカル絶縁体、ゲート制御、電子線リソグラフィ

電子・スピン工学へ応用が期待されているトポロジカル絶縁体においては、表面の全ての面がそれぞれ伝導を担う。そのため、各面の伝導キャリアを同時制御することが応用上重要である。ここではトポロジカル絶縁体Sn-BSTSの薄片を用いて、上面および下面のフェルミ面を独立に制御できるデュアルゲートデバイスを作製した。ゲート電圧の印加による、上下面における極性、および磁気輸送特性の制御を行った結果について報告する。