2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[19p-437-1~15] 9.5 新機能材料・新物性

2018年9月19日(水) 13:45 〜 18:00 437 (437)

高瀬 浩一(日大)、香野 淳(福岡大)、生田 博志(名大)

17:30 〜 17:45

[19p-437-14] エッチング条件によるシリコンナノ粒子表面へのメソ細孔構造制御

久我 泰祐1、佐藤 慶介1 (1.東京電機大工)

キーワード:半導体、メソ細孔、シリコンナノ粒子

近年、メソ細孔を有した半導体ナノ粒子は蓄電池、細胞吸着材料など多種にわたり応用されている。
そのメソ細孔の形成技術として、安価かつ簡便な手法であるウェットエッチング法を用いてシリコンナノ粒子表面にメソ細孔を形成する手法について検討した。本発表では、エッチング時間に対するメソ細孔の比表面積とサイズ分布について発表する。