[19p-437-1~15] 9.5 New functional materials and new phenomena

[19p-437-2] Metallic conduction in a germanane thin film with electric double layer transistor

〇Ryoto Yamauchi¹, Yohei Sato¹, Yumiko Katayama¹, Yuhsuke Yasutake¹, Susumu Fukatsu¹, Kazunori Ueno¹ (1.Univ. Tokyo)

Keywords:germanane, electric double layer transistor, metal-insulator transition

ゲルマナン(GeH)はGe 単原子層の両面を水素終端した構造を持つ半導体である。本研究では、GeHを用いて電解液をゲート絶縁体として用いる電気二重層トランジスタを作製した。その結果両側動作のトランジスタ動作を示し、さらにキャリア濃度・移動度が得られたので報告する。