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[19p-437-2] Metallic conduction in a germanane thin film with electric double layer transistor
Keywords:germanane, electric double layer transistor, metal-insulator transition
ゲルマナン(GeH)はGe 単原子層の両面を水素終端した構造を持つ半導体である。本研究では、GeHを用いて電解液をゲート絶縁体として用いる電気二重層トランジスタを作製した。その結果両側動作のトランジスタ動作を示し、さらにキャリア濃度・移動度が得られたので報告する。