[19p-437-1~15] 9.5 新機能材料・新物性

[19p-437-2] 電気二重層トランジスタ(EDLT)を用いたゲルマナン薄膜の金属的伝導

〇山内 遼斗¹、佐藤 洋平¹、片山 裕美子¹、安武 裕輔¹、深津 晋¹、上野 和紀¹ (1.東大院総合)

キーワード：ゲルマナン、電気二重層トランジスタ、金属・絶縁体転移

ゲルマナン(GeH)はGe 単原子層の両面を水素終端した構造を持つ半導体である。本研究では、GeHを用いて電解液をゲート絶縁体として用いる電気二重層トランジスタを作製した。その結果両側動作のトランジスタ動作を示し、さらにキャリア濃度・移動度が得られたので報告する。