[19p-437-1~15] 9.5 New functional materials and new phenomena

△ [19p-437-5] Effect of Element Substitution to Thin Films of Topological Material CaAgAs

〇Yuta Tomizawa¹, Shunsuke Ohta¹, Takafumi Hatano¹, Takahiro Urata¹, Kazumasa Iida¹, Hiroshi Ikuta¹ (1.Dept. Mater. Phys., Nagoya Univ.)

Keywords:topological material

近年、CaAgAsのバルク試料の実験において、本物質がラインノードディラック半金属であると示唆された。我々は分子線エピタキシー法によりCaAgAs薄膜を作製し、伝導特性の観点から本物質の評価を行ってきたが、表面状態の理解は不十分である。そこで本研究では、薄膜に対し磁性不純物であるFeのドープを試み、磁気抵抗効果の段階的な変化を観測した。本講演では非磁性不純物としてZnをドープした試料の解析も合わせて報告する予定である。