[19p-CE-5~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-CE-11] Mgイオン注入GaN結晶のカソードルミネッセンスによる評価

〇齋藤 進¹、高橋 和照¹、Salmon Michael E.²、新宮 一恵¹ (1.ナノサイエンス(株)、2.EAG Inc.)

キーワード：カソードルミネッセンス、GaN、イオン注入

Mgをイオン注入したGaNについて、カソードルミネッセンス（CL）により光学的特性の断面方向の評価を試みた。アニール後の試料においても、基板に対して発光強度は低下しており、CL発光の強度は測定深さで大きく変化するが、YL/NBEの分布は発光強度に依らずMg濃度のプロファイルと相関した一貫したプロファイルが得られた。イオン注入後の状態を評価する指標としてYL/NBE比が利用可能であると考えられる。