[19p-CE-5~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [19p-CE-16] Al₂O₃/n-, p-GaN構造の光熱偏向分光法による評価

〇福田 清貴^1,2、浅井 祐哉³、関 慶祐⁴、Sang Liwen¹、吉越 章隆⁵、上殿 明良³、石垣 隆正⁴、尾沼 猛儀²、山口 智広²、本田 徹²、角谷 正友¹ (1.物材機構、2.工学院大、3.筑波大、4.法政大、5.原子力機構)

キーワード：窒化ガリウム、光熱偏向分光法、光電子分光法

本研究では荷電状態によらずバンドギャップ内準位を検出できる光熱偏向分光法(PDS : Photothermal Deflection Spectroscopy)とその場観察による光電子分光を利用してAl₂O₃を堆積したGaN試料の評価を行ったので報告する。