[19p-CE-5~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [19p-CE-8] Characterization of Al₂O₃ MOS structures fabricated on m-plane GaN surfaces

〇Shota Kaneki¹, Tamotsu Hashizume¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, MOS, Interface state

近年、GaNの電力スイッチング素子への応用に向けて、トレンチゲート構造の縦型MOSFETに関する研究が盛んに行われている。トレンチゲート構造では、チャネルがm面に形成される場合が多いが、m面GaNのMOS構造を詳細に評価した報告はほとんど無い。本研究では、m面GaNに形成したMOSダイオードに対して大気Post-Metallization-Anneal (PMA)処理を行い、特性の評価を行った。