[19p-PA3-1~9] 3.15 シリコンフォトニクス

[19p-PA3-1] 直接貼付InP/Si基板におけるInP薄膜の表面状態の評価

〇松浦 正樹¹、早坂 夏樹¹、韓 旭¹、相川 政輝¹、内田 和希¹、杉山 滉一¹、矢田 拓夢¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：直接貼付、InP/Si、評価

年々増加する情報量に対し従来の電気配線におい
て消費電力、発熱、伝送遅延の問題が生じており、
これに代わる方法として光配線を用いる光インター
コネクション技術に注目が集まっている。このよう
な背景を踏まえ、我々は光デバイス作製に適したInP
薄膜層とSi基板を直接貼付法を用いて接合し、その
上に結晶成長によって光デバイスを作製する研究を
行ってきた[1]。今回、InP/Si基板におけるInP薄膜
の表面状態の観察および表面粗さの測定を行っ
た。