[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PA4-10] GaN層の表面汚染に関する検討(１)

〇水野 愛¹、岩本 正紀¹、長田 拓也¹、鈴木 礼央¹、安藤 毅¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大学工)

キーワード：GaN層、X線光電子分光法、表面汚染

今回，GaN層の大気暴露に伴うSi系化合物の表面汚染について検討した．長期間大気暴露したGaN層表面をX線光電子分光法(XPS)にて分析した結果，Si成分が検出された．また，加熱処理によるGaN層表面のクリーニングも試みた．