[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PA4-19] レーザーリフトオフによるGaNエピ成長用サファイア基板の再利用技術

〇渡邊 一世¹、田畑 晋²、高橋 邦充²、笠松 章史¹ (1.情報通信研究機構、2.ディスコ)

キーワード：レーザーリフトオフ、窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ・エピ構造、サファイア基板の再利用・リサイクル

これまで我々はサファイア、SiC、SiおよびGaN自立基板上に微細T型ゲートを有するGaN系高電子移動度トランジスタ（HEMT）を作製し、200 GHzを超えるf_Tおよびf_maxを報告してきた。GaN系HEMTをミリ波・テラヘルツ波帯MMICに応用するには、GaNエピ層の成長に使用した基板を100 µm程度まで薄化しなければならない。しかし、サファイアやSiCは酸・アルカリに耐性があることからドライエッチングや機械研磨での薄化が必要であるが、基板材料のほとんどは廃棄される。本報告では、サファイア基板上のGaNエピ層をレーザーリフトオフで剥離し、成長用基板を無損傷で回収するとともに、回収したサファイア基板上にGaNエピ層を再成長し、その特性を評価したので報告する。