[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19p-PA4-2] Characterization of dislocations in PVT-grown AlN single crystal by synchrotron X-ray topography

〇Yongzhao Yao¹, Y. Sugawara¹, Y. Ishikawa¹, N. Okada², R. Inomoto², K. Tadatomo², Y. Takahashi³, K. Hirano⁴ (1.JFCC, 2.Yamaguchi Univ., 3.Nihon Univ., 4.KEK)

Keywords:AlN, XRT, dislocation

AlNは深紫外LEDや超高電力密度パワー素子用材料として注目を集めている。ところが、AlN単結晶に含まれる転位がAlN電子デバイスに悪影響を及ぼすため、結晶成長や素子不良解析の観点から転位評価が重要な課題である。本研究は、放射光X線トポグラフィ（XRT）を用い、PVT法AlN単結晶基板の転位評価を行った。単色化したX線（15.5～19.1keV、KEK-PF）を利用し、市販PVT法AlNバルク単結晶基板^[1]のAlまたはN極性面から、非対称反射g=11-26（等価な6方向）、g=1-106（等価な6方向）、および対称反射g=0006、計13回折条件でXRT観察を行った。