2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年9月19日(水) 13:30 〜 15:30 PA (イベントホール)

13:30 〜 15:30

[19p-PA4-22] 光水分解用NiO/AlGaN/n-GaN光陽極の長寿命化に向けて

熊倉 一英1、渦巻 裕也2、小野 陽子2、小松 武志2 (1.NTT物性研、2.NTT先デ研)

キーワード:太陽光水分解、窒化物半導体

窒化物半導体は、その混晶組成により赤外から紫外域の光を吸収することが可能であり、太陽光を利用した光水分解用陽極の光吸収層として有望な材料である。これまで我々は、高効率・長寿命化に向け、助触媒となるNiOの形成法、反応抵抗、光吸収層の構造について評価してきた。今回、長時間の光照射測定を行い、寿命を決める要因について調査したので報告する。