[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19p-PA4-24] Barrier thickness dependence of carrier transport efficiency in In0.2Ga0.8N / GaN MQW solar cells

〇Hiroki Harada¹, Shinya Kato¹, Makoto Miyoshi¹, Takashi Egawa¹ (1.Nagoya Inst.)

Keywords:MOCVD, GaN, solar cells

InGaN 混晶を光吸収層に用いた窒化物系太陽電池は、有毒元素を含まず、原理的には バンドエンジニアリングにより太陽光波長の大部分を吸収できることから、将来の化合物太陽電 池用材料として有望である。我々はこれまで、InGaN MQW 光吸収層の成長温度を低温化すること で、光応答波長を 540 nm 程度まで広域化したことを報告しているが、それと同時に、外部量子効率 (EQE)、内部量子効率(IQE)のいずれもが低下するという現象が観測されている。今回の実験では、光吸 収波長を保ったままEQEおよびIQEの向上を図るために、GaNバリア厚の異なる太陽電池構造を作製、 キャリア取り出し効率への影響について調べたので報告する。