[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PA4-26] 高温InNバッファーを用いたInNの二段階成長

〇今井 尚弘¹、山木 大樹¹、逸見 真広¹、牧本 俊樹¹ (1.早大理工)

キーワード：窒化インジウム、MBE、電子移動度

３族窒化物半導体であるInNは高い電子移動度と飽和電子速度を持つので、高速・高周波デバイスなどへの応用が期待されている。しかしながら、InN基板が存在しないので、GaNやサファイアなどの結晶構造が近い基板で成長する必要がある。本研究では、高温InNバッファーを用いたInNの二段階成長を提案し、サファイア基板上に成長したInNの高品質化に成功したので報告する。