[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PA4-27] RF-MBE法で成長したInNの成長温度依存性

〇山木 大樹¹、今井 尚弘¹、逸見 真広¹、牧本 俊樹¹ (1.早大理工)

キーワード：半導体、InN、MBE