[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PA4-7] 自由エネルギー表式によるAlN(0001)基板上におけるGaN薄膜の成長様式に関する理論的解析

〇(M2)積木 伸之介¹、プラディプト アブドゥルミッツ¹、秋山 亨¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：窒化物半導体、結晶成長