[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PA4-8] BAlNおよびBGaN混晶の構造安定性および混和性に関する理論的検討

〇長谷川 裕也¹、秋山 亨¹、プラディプト アブドゥル-ムイッツ¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：窒化物半導体、結晶構造、原子間ポテンシャル