[19p-PA5-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

[19p-PA5-13] Cat-CVD SiN_x膜のパッシベーション性能の膜厚依存性

〇WEN YULI¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端科学技術大学院大学)

キーワード：パッシベーション、触媒化学気相堆積、SiNx膜

触媒化学気相堆積(Cat-CVD)形成される窒化Si(SiN_x)膜の結晶Si表面のパッシベーション性能について, 広い膜厚範囲における膜厚依存性を調査した．ポストアニール後の試料について，SiN_xの膜厚が<100 nmの場合には，膜厚の増大に伴い実効少数キャリア寿命(τ_eff)が単調に増大する傾向が確認され，τ_effは3-4 msに達した．一方膜厚≥100 nm以上の場合，パッシベーション性能は膜厚に依存せず飽和することを明らかにした．