The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

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16 Amorphous and Microcrystalline Materials » 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[19p-PA5-1~14] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

Wed. Sep 19, 2018 1:30 PM - 3:30 PM PA (Event Hall)

1:30 PM - 3:30 PM

[19p-PA5-6] Effect of Oxygen Partial Pressure for Low-damage Deposition of WO3 Films as Hole Transport Layer for Silicon Heterojunction Solar Cell

Yoji Yasuda1, Shinsuke Miyajima2, Yuta Shiratori2, Yoichi Hoshi1 (1.Tokyo Polytechnic Univ., 2.Tokyo Tech.)

Keywords:Silicon Heterojunction Solar Cell, Tangsten oxide, Hole Transport Layer

良好なガスクロミック特性を有する酸化タングステン(WO3)膜は水素ガスセンサーに有用であるため、我々の研究室では数年前からスパッタによる堆積技術の開発に取り組んできた。一方、シリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池の正孔選択層であるp-a-Si:Hの代替材料としてもWO3膜が注目されはじめたことから、その応用へ向け検討を始めた。しかしながら、通常のマグネトロンスパッタ法ではターゲットから放出される酸素負イオンや二次電子による基板衝撃によって下地層のa-Si:Hにダメージを与える可能性が示唆されていた。そこで、我々は対向ターゲット式スパッタ法を用いて高エネルギー粒子による衝撃を抑制し、正孔選択層向けのWO3膜を堆積し、その諸特性を評価したので結果を報告する。