[19p-PA5-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

[19p-PA5-6] シリコン系太陽電池正孔選択層向け酸化タングステンの低ダメージ堆積時における酸素分圧の影響

〇安田 洋司¹、宮島 晋介²、白取 優大²、星 陽一¹ (1.東京工芸大工、2.東工大工)

キーワード：薄膜シリコン系太陽電池、酸化タングステン、正孔選択層

良好なガスクロミック特性を有する酸化タングステン(WO₃)膜は水素ガスセンサーに有用であるため、我々の研究室では数年前からスパッタによる堆積技術の開発に取り組んできた。一方、シリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池の正孔選択層であるp-a-Si:Hの代替材料としてもWO₃膜が注目されはじめたことから、その応用へ向け検討を始めた。しかしながら、通常のマグネトロンスパッタ法ではターゲットから放出される酸素負イオンや二次電子による基板衝撃によって下地層のa-Si:Hにダメージを与える可能性が示唆されていた。そこで、我々は対向ターゲット式スパッタ法を用いて高エネルギー粒子による衝撃を抑制し、正孔選択層向けのWO₃膜を堆積し、その諸特性を評価したので結果を報告する。