[19p-PA8-1~12] 9.4 熱電変換

[19p-PA8-12] SOIウエハ上のSiワイヤの表面電位分布シミュレーション

〇(M1)川合 健斗^1,2、鈴木 悠平^1,2、岡 晃人^1,2、姫田 悠矢³、武澤 宏樹³、熊田 剛大³、島 圭佑³、富田 基裕³、立岡 浩一²、ファイズ サレ⁴、猪川 洋^1,2、松木 武雄^3,5、松川 貴⁵、渡邉 孝信³、池田 浩也^1,2 (1.静大電研、2.静大院工、3.早大、4.マラヤ大、5.産総研)

キーワード：表面電位顕微鏡、電位分布シミュレーション、SOI

我々はナノ構造のゼーベック係数を測定する新方法として，表面電位顕微鏡（KFM）による測定技術を提案している．実際にマイクロメートルオーダーのSiワイヤをSOI（Si on insulator）基板に作製し，その表面電位分布をKFMで測定したところ，Siワイヤの端で電位が上昇する像が得られた．この要因として，試料中に存在する捕獲電荷や電気力線の回り込みの影響が考えられる．COMSOL Multiphysicsを用いて，KFMで観測された特異な電位分布の原因を明らかにする．